晶閘管測試儀0-6000V 型號:KM1-DBC-025

晶閘管測試儀0-6000V  型號:KM1-DBC-025 

該測試儀是符合國標GB4023-83《半導體器件整流二極管的測試方法》和GB-4024-83《半導體反向阻斷
三極晶閘管的測試方法》，能測試各種晶閘管（KP、KK、KA、KS）及晶閘管模塊的VDSM、VRSM、VDRM、
VRRM、IDSM、IRSM、IDRM、IRRM與各種整流二極管（ZP、ZK）的VRSM、VRRM、IRSM、IRRM等參數。
IGBT、場(chǎng)效應管、整流橋、固態(tài)繼電器、光耦等半導體器件都可測試。線(xiàn)路設計簡(jiǎn)潔精煉，采用單片機控制，
具有體積小、重量輕、操作簡(jiǎn)單、測試準確、保護可靠和維修方便等特點(diǎn)，是晶閘管可控硅及整流管等半導體
器件生產(chǎn)單位、經(jīng)銷(xiāo)商及整機生產(chǎn)單位用來(lái)檢測器件伏安特性（也叫阻斷特性）參數的 為理想的檢測設備。

晶閘管測試儀0-6000V  型號:KM1-DBC-025 
主要技術(shù)指標：
1．峰值電壓測量范圍：0—3000V、0—4500V、0—6000V、0—9000V可選，也可定制其它范圍
2．峰值漏電流測量范圍：0—100mA、0—200mA可選，也可定制其它范圍
3．峰值漏電流保護設定范圍：0—99mA、0—198mA
4．機內液晶示波器可觀(guān)看動(dòng)態(tài)峰值電壓與峰值漏電流的變化伏安特性曲線(xiàn)波形
儀器測試使用方法：
1．檢查高壓調節旋鈕反時(shí)針調到零，打開(kāi)電源開(kāi)關(guān)，按極性接好被測管。
2．根據個(gè)人習慣，調節示波器的各項功能（光點(diǎn)位置、顏色、粗細等）至 合適狀態(tài)。
3．將保護設定調在要求保護的漏電流值。撥碼開(kāi)關(guān)上面的一個(gè)數字代表1mA， 多可以設定到99mA，一般
測室溫電壓時(shí)，保護設定在5mA左右。
4．將正向／反向按鈕置于正向（不按下時(shí)），緩慢順時(shí)針調節高壓調節旋鈕，觀(guān)察示波器，當波形出現拐點(diǎn)，
漏電流表上也顯示有漏電流時(shí)，此時(shí)的電壓即為正向不重復峰值電壓。一般取不重復峰值電壓的90%為重復峰值電壓，將電壓調至重復峰值電壓，此電壓下的漏電流即為重復峰值漏電流。然后將高壓調節旋鈕反時(shí)針調到零，再將正向／反向按鈕置于反向（按下時(shí)），用同樣的方法測出反向不重復峰值電壓，反向重復峰值電壓和反向重復峰值漏電流。在測試過(guò)程中若因漏電流超過(guò)保護設定值則保護動(dòng)作，保護指示燈亮，設備自動(dòng)斷開(kāi)加在被測管Ａ、Ｋ端的高壓，此時(shí)將高壓調節旋鈕反時(shí)針旋到底，儀器即自動(dòng)復位。
使用注意事項：
1．三線(xiàn)電源插頭的地端要可靠接地，以確保測試人員的。
2．測試峰值電壓后，應養成習慣及時(shí)將高壓調節旋鈕調到零，禁止在加上高壓時(shí)調節 保護設定及正反向，測試
過(guò)程中嚴禁用手觸摸元件導電部分，以免電擊。
3．測試不帶散熱器的管芯時(shí)，要加一定的壓力，以免管芯內部接觸不良產(chǎn)生測試誤差，或因為內部打火損壞
被測元件。
4．測試元件耐壓時(shí)應盡量不要測到保護動(dòng)作，以確保元件不被擊穿損壞。
0-6000V主要技術(shù)指標：
1．峰值電壓測量范圍：0—6000V
2．峰值漏電流測量范圍：0—200mA
3．峰值漏電流保護設定范圍：0—198mA
4．機內示波器可觀(guān)看動(dòng)態(tài)峰值電壓與峰值漏電流的變化伏安特性曲線(xiàn)波形